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2012-06-13 11:44:41 [
メガソーラーニュース
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トランジスターの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ | 科学技術振興機構
http://www.jst.go.jp/pr/announce/20120613-2/
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JSTはこの領域で、CMOSに代表される既存のシリコンデバイスを超える革新的な次世代デバイスを創成することを目標として、環境やエネルギー消費に配慮しつつ高速・大容量かつ高度な情報処理・情報蓄積・情報伝達を可能とする新しい材料の開拓およびプロセスの開発を ...
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